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产品信息
WEDPN8M64V-133B2一般说明
64MByte(512Mb)SDRAM是一种高速CMOS,动态
使用4个包含134,217,728位的芯片的随机存取存储器。
每个芯片在内部都配置为四排DRAM,带有一个
同步接口。该芯片的33,554,432位存储区中的每个存储区
组织为4,096行乘512列乘16位。
对SDRAM的读写访问是面向突发的。
访问从所选位置开始,然后继续进行编程
编程顺序中的位置数。访问开始
注册一个活动命令,然后执行
通过READ或WRITE命令。地址位已注册
与ACTIVE命令一致的是用来选择库
和要访问的行(BA0,BA1选择组; A0-11选择
该行)。注册的地址位与READ或
WRITE命令用于选择起始列位置
用于突发访问。
SDRAM提供可编程的READ或WRITE突发
长度为1、2、4或8个位置(或整页),并带有连字符
终止选项。可能启用了自动预充电功能
提供在结束时启动的自定时行预充电
突发序列。
512Mb SDRAM使用内部流水线架构
实现高速运转。该架构与
预取架构的2n规则,但它也允许该列
在每个时钟周期更改地址,以实现高速,完全随机的访问。访问时为一间银行预付款
其他三个银行之一将隐藏预充电周期,并且
提供无缝,高速,随机访问操作。
512Mb SDRAM设计为在3.3V低功耗下运行
内存系统。提供自动刷新模式,以及
省电,掉电模式。
所有输入和输出均兼容LVTTL。 SDRAM提供
DRAM操作性能方面的重大进步,包括
64MByte(512Mb)SDRAM是一种高速CMOS,动态
使用4个包含134,217,728位的芯片的随机存取存储器。
每个芯片在内部都配置为四排DRAM,带有一个
同步接口。该芯片的33,554,432位存储区中的每个存储区
组织为4,096行乘512列乘16位。
对SDRAM的读写访问是面向突发的。
访问从所选位置开始,然后继续进行编程
编程顺序中的位置数。访问开始
注册一个活动命令,然后执行
通过READ或WRITE命令。地址位已注册
与ACTIVE命令一致的是用来选择库
和要访问的行(BA0,BA1选择组; A0-11选择
该行)。注册的地址位与READ或
WRITE命令用于选择起始列位置
用于突发访问。
SDRAM提供可编程的READ或WRITE突发
长度为1、2、4或8个位置(或整页),并带有连字符
终止选项。可能启用了自动预充电功能
提供在结束时启动的自定时行预充电
突发序列。
512Mb SDRAM使用内部流水线架构
实现高速运转。该架构与
预取架构的2n规则,但它也允许该列
在每个时钟周期更改地址,以实现高速,完全随机的访问。访问时为一间银行预付款
其他三个银行之一将隐藏预充电周期,并且
提供无缝,高速,随机访问操作。
512Mb SDRAM设计为在3.3V低功耗下运行
内存系统。提供自动刷新模式,以及
省电,掉电模式。
所有输入和输出均兼容LVTTL。 SDRAM提供
DRAM操作性能方面的重大进步,包括